鉀離子電池（KIBs）由于豐富的鉀資源越來(lái)越受到關(guān)注。然而，大半徑和高擴(kuò)散屏障通常會(huì)導(dǎo)致較差的性能。因此迫切的挑戰(zhàn)是找到合適的陽(yáng)極材料來(lái)促進(jìn)K⁺擴(kuò)散，便于KIBs在未來(lái)的大規(guī)模應(yīng)用。

MoS₂由于大的層間距（0.62nm）和更容易的離子嵌入/脫出，是一種很有前途的KIBs陽(yáng)極材料。之前有研究者采用透明膠帶剝離法制備單層MoS₂，但制備效率太低，實(shí)際應(yīng)用也不理想。此外，通過(guò)化學(xué)方法（如CVD和水熱法）制備的MoS₂由于容易堆疊納米片而導(dǎo)致穩(wěn)定性較差，內(nèi)部電導(dǎo)率低，體積膨脹大。

近年來(lái)，使用三輥研磨機(jī)進(jìn)行剝離的新技術(shù)引人注目。通過(guò)三個(gè)水平輥表面的相互擠壓和不同速度下的摩擦來(lái)克服層狀材料之間的范德華力。因此，為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，我們提供了用TRILOS三輥機(jī)剝離MoS₂漿料的方法。MoS₂可以被減薄和破碎到不同程度，也可以生產(chǎn)大量高質(zhì)量的納米片。

合成MoS₂@C納米片

將酚醛樹(shù)脂（100 g）和塊狀MoS₂（1.2 g，12–16μm）混合攪拌0.5小時(shí)，然后用TRILOS TR80A三輥機(jī)對(duì)MoS₂進(jìn)行剝離。用酒精清洗幾次后，產(chǎn)物在-45℃溫度下冷凍干燥一天，然后在氬氣氣氛保護(hù)下550℃加熱2小時(shí)，吸附在MoS₂納米片表面的介質(zhì)分子高溫處理成碳層，獲得MoS₂@C納米片。

圖1 制備MoS₂@C納米片的示意圖

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• TRILOS泰洛思三輥機(jī)研磨機(jī)

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